Arriva la conferma ufficiale: Realme GT 5 sarà alimentato dal processore Snapdragon 8 Gen 2 e ciò sta a significare che sarà uno degli smartphone più potenti al mondo. A sbilanciarsi sul top di gamma è il presidente del colosso cinese Xu Qi, che ha pubblicato sulla piattaforma di microblogging Weibo un teaser che riguarda proprio il nuovo flagship.
Inoltre, c’è un nuovo post Weibo del famoso leaker Digital Chat Station che riporta la presenza di 24 GB di memoria RAM. Il leaker afferma anche che lo smartphone avrà un display OLED con risoluzione 1,5K e dimming ad alta frequenza. Infine il dispositivo avrebbe il supporto alla ricarica rapida a 240W. Realme GT 5 potrebbe essere annunciato in Cina già entro la fine di questo mese, ma le sue sorti per il mercato globale non sono note. Il GT 3 sarebbe dovuto arrivare dalle nostre parti come da annuncio al MWC 2023, tuttavia non è stato più commercializzato.
Tra le restanti specifiche tecniche di Realme GT 5 ci dovrebbero essere una diagonale di 6,74 pollici per il display ed un refresh rate a 144 Hz. Il device dovrebbe anche avere una tripla fotocamera posteriore da 50 + 8 + 2 Megapixel con sensore principale Sony IMX890, OIS e grandangolo. Oltre alla variante con 24 GB di RAM sarebbe prevista una configurazione con 16 GB di memoria RAM, mentre la memoria interna sarebbe da 128 GB, 256 GB, 512 GB o 1 TB, di tipo UFS 4.0. La batteria sarebbe da 4600 mAh ma sarebbe prevista anche una variante da 5200 mAh con ricarica a 150W.
